Samsung Electronics 2025-ci ildə tədqiqat və inkişaf (R&D) fəaliyyətlərinə rekord həcmdə – 37,7 trilyon von (təxminən 25,7 milyard dollar) vəsait xərclədiyini açıqlayıb. Şirkətin illik hesabatına görə, bu göstərici əvvəlki illə müqayisədə 7,8% artım deməkdir.
Şirkət bildirib ki, xərclər əsasən süni intellekt üçün növbəti nəsil yarımkeçirici texnologiyaların inkişafına yönəlib. Xüsusilə yüksək ötürmə qabiliyyətli yaddaş texnologiyaları – HBM (High-Bandwidth Memory) və yüksək tutumlu DDR5 çiplərinə tələbatın artması bu investisiyaları sürətləndirib.
Samsung həmçinin 2025-ci ildə istehsal və infrastruktur layihələrinə 52,7 trilyon von (təxminən 35,9 milyard dollar) sərmayə yatırdığını bildirib. Bu vəsaitin bir hissəsi şirkətin Giheung kampusunda yerləşən yeni NRD-K yarımkeçirici R&D kompleksinin yaradılmasına yönəldilib. Bu addım şirkətin AI çipləri bazarında mövqeyini gücləndirməyi hədəfləyir.
